Datasheet, инструкция, документация по электронному компоненту Philips Semiconductors PHB2N50E

В базе datasheets представлено более 6 000 000 инструкций, datasheets, описаний элекронных компонентов. Чтобы найти нужный Вам datasheet или инструкцию, воспользуйтесь поисковой формой. Также вы можете просмотреть datasheets по определенному производителю, воспользовавшись ссылкой - Datasheets, инструкции по производителям.

Название электронного компонента: PHB2N50E Описание PHB2N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB2N50E datasheet: 93Kb Скачать PHB2N50E datasheet: PHB2N50E.PDF